ケイ素含有重合性化合物、その製造方法、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-285171
公開番号（公開出願番号）：特開2004-115762
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【解決手段】一般式(1)で表されるケイ素含有重合性化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、ハロゲン原子又は一価の有機基を表す。)【効果】本発明のケイ素含有重合性化合物は、二層レジスト用のベース樹脂の優れた材料となる。本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明の高分子化合物及びレジスト材料は、これらの特性より、特に優れた二層レジスト用の材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一般式(1)で表されるケイ素含有重合性化合物。

IPC (6件)：

C08F30/08 , C07F7/08 , G03F7/027 , G03F7/039 , G03F7/075 , H01L21/027

FI (8件)：

C08F30/08 , C07F7/08 J , C07F7/08 S , C07F7/08 W , G03F7/027 , G03F7/039 601 , G03F7/075 501 , H01L21/30 502R

Fターム (52件)：

2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BC40 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB33 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H025FA41 , 4H049VN01 , 4H049VP01 , 4H049VP05 , 4H049VQ29 , 4H049VQ57 , 4H049VQ58 , 4H049VQ76 , 4H049VQ77 , 4H049VR23 , 4H049VR24 , 4H049VS18 , 4H049VU20 , 4H049VU24 , 4H049VW02 , 4H049VW33 , 4J100AB02Q , 4J100AB03Q , 4J100AJ01Q , 4J100AJ02Q , 4J100AJ08Q , 4J100AK32Q , 4J100AM02Q , 4J100AM43Q , 4J100AM45Q , 4J100AP16P , 4J100AR10Q , 4J100BA15P , 4J100BA72P , 4J100BA80P , 4J100BA81P , 4J100BB17Q , 4J100BC04P , 4J100BC53P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭56-110693
特表平2-501486
特開昭60-032794

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