特許
J-GLOBAL ID:200903033953941385

ケイ素含有重合性化合物、その製造方法、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-285171
公開番号(公開出願番号):特開2004-115762
出願日: 2002年09月30日
公開日(公表日): 2004年04月15日
要約:
【解決手段】一般式(1)で表されるケイ素含有重合性化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、ハロゲン原子又は一価の有機基を表す。)【効果】本発明のケイ素含有重合性化合物は、二層レジスト用のベース樹脂の優れた材料となる。本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明の高分子化合物及びレジスト材料は、これらの特性より、特に優れた二層レジスト用の材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
一般式(1)で表されるケイ素含有重合性化合物。
IPC (6件):
C08F30/08 ,  C07F7/08 ,  G03F7/027 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027
FI (8件):
C08F30/08 ,  C07F7/08 J ,  C07F7/08 S ,  C07F7/08 W ,  G03F7/027 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 501 ,  H01L21/30 502R
Fターム (52件):
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BC40 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA41 ,  4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VP05 ,  4H049VQ29 ,  4H049VQ57 ,  4H049VQ58 ,  4H049VQ76 ,  4H049VQ77 ,  4H049VR23 ,  4H049VR24 ,  4H049VS18 ,  4H049VU20 ,  4H049VU24 ,  4H049VW02 ,  4H049VW33 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB03Q ,  4J100AJ01Q ,  4J100AJ02Q ,  4J100AJ08Q ,  4J100AK32Q ,  4J100AM02Q ,  4J100AM43Q ,  4J100AM45Q ,  4J100AP16P ,  4J100AR10Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA72P ,  4J100BA80P ,  4J100BA81P ,  4J100BB17Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC53P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る