特許
J-GLOBAL ID：200903033972268365
ブロック・コポリマーの改良型自己組織化パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
上野 剛史
, 太佐 種一
, 市位 嘉宏
, 坂口 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-008935
公開番号（公開出願番号）：特開2007-208255
出願日： 2007年01月18日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：
【課題】基板表面上に自己組織化パターンを形成する方法を提供する。【解決手段】まず、トレンチが内設された基板表面を含む基板上に、混和しない二つ以上のポリマー・ブロック成分を含有したブロック・コポリマーを含む、ブロック・コポリマー層を塗布する。具体的には、前記トレンチは、二つの広幅領域に両側を挟まれた少なくとも一つの狭幅領域を含み、前記広幅領域と前記狭幅領域との幅の差は、50%を超えている。その後、アニーリングを行って、前記ブロック・コポリマー層における前記二つ以上の混和しないポリマー・ブロック成分間で相分離を起こすことにより、繰り返し構造単位で画定される周期パターンを形成する。具体的には、前記トレンチの狭幅領域における前記周期パターンを所定方向に整列させて実質的に欠陥の無い状態にする。上述の方法によって形成されたブロック・コポリマー膜、ならびに、このようなブロック・コポリマー膜を含む半導体構造も含む。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
基板表面上にパターンを形成する方法であって、
二つの広幅領域に両側を挟まれた少なくとも一つの狭幅領域を含み、前記広幅領域と前記狭幅領域との幅の差が50パーセントを超えるトレンチが内設された基板表面を有する基板上に、互いに混和しない二つ以上のポリマー・ブロック成分を含むブロック・コポリマー層を塗布するステップと、
前記ブロック・コポリマー層をアニールして、繰り返し構造単位で画定される周期パターンを前記トレンチ内に形成し、前記トレンチの狭幅領域における前記周期パターンを所定方向に整列させて実質的に欠陥の無い状態にするステップとを備えた、方法。
IPC (4件)：
H01L 51/40
, H01L 51/05
, H01L 51/30
, H01L 21/312
H01L29/28 310A
, H01L29/28 100
, H01L29/28 220A
, H01L29/28 250G
, H01L21/312 A
5F058AA10
, 5F058AC06
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH06
