特許
J-GLOBAL ID：200903034001945561

超伝導フィルタおよびその製造方法

発明者：
榊原 伸義

榊原 伸義 について


出願人/特許権者：
株式会社移動体通信先端技術研究所

株式会社移動体通信先端技術研究所 について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-194689
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031771
出願日： 1998年07月09日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 誘電体基板のサイズを大きくすることなく共振周波数を低くする。【解決手段】 誘電体基板1の上に接地用超伝導薄膜2を形成し、この接地用超伝導薄膜2の上に誘電体薄膜3を形成し、この誘電体薄膜3の上に超伝導薄膜をパターニングして共振器4a〜4eを形成する。このように共振器4a〜4eと接地用超伝導薄膜2間の誘電体薄膜3によってコンデンサを形成することにより、誘電体基板によってコンデンサを形成した従来のものに比べて、その容量を大きくすることができ、共振周波数を低くすることができる。
請求項（抜粋）：
誘電体基板(1)と、前記誘電体基板(1)の上に形成された接地用超伝導薄膜(2)と、前記接地用超伝導薄膜(2)の上に形成された誘電体薄膜(3)と、前記誘電体薄膜(3)の上に超伝導薄膜をパターニングして形成された共振器(4a〜4e、41)とを備えたことを特徴とする超伝導フィルタ。
IPC (6件)：
H03H 7/01 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01P 1/20 ZAA ,  H03H 3/00 ZAA ,  H03H 5/02 ZAA
FI (6件)：
H03H 7/01 ZAA A ,  H01L 39/00 ZAA Z ,  H01L 39/24 ZAA F ,  H01P 1/20 ZAA Z ,  H03H 3/00 ZAA ,  H03H 5/02 ZAA
Fターム (10件)：
4M113AC44 ,  4M113AD42 ,  4M113AD62 ,  4M113AD67 ,  5J006JA00 ,  5J024AA01 ,  5J024DA05 ,  5J024DA29 ,  5J024DA33 ,  5J024DA35
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開平4-196601
  • 誘電体多層基板集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-114241   出願人：ティーディーケイ株式会社
  • 誘電体フィルタの電極形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-193914   出願人：日本特殊陶業株式会社
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