特許

J-GLOBAL ID：200903034003372445

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 宮崎 周司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-347551
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174030
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 基板表面の素子構造に関係なく、水素アニールによってデバイス特性や信頼性を向上させ、半導体集積回路装置を歩留まりよく製造する。【解決手段】 素子が形成され層間絶縁膜が積層された半導体基板を水素雰囲気下でアニールする水素アニール工程を有する半導体集積回路装置の製造方法において、水素アニール時に半導体基板と絶縁性領域との界面に到達し界面準位を低下させる水素が不活性雰囲気下で該界面から脱離し始める脱離開始温度を超える温度で水素アニールを行い、その後、水素雰囲気のままで該脱離開始温度以下の温度にした後に前記素子形成基板を出炉する。

請求項（抜粋）：

素子が形成され層間絶縁膜が積層された半導体基板を水素雰囲気下でアニールする水素アニール工程を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、水素アニールにおいて半導体基板と絶縁性領域との界面に到達し界面準位を低下させる水素が不活性雰囲気下で該界面から脱離し始める脱離開始温度を超える温度で水素アニールを行い、その後、水素雰囲気のままで該脱離開始温度以下の温度にした後に前記素子形成基板を出炉することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/324 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/324 Z ,  H01L 27/10 621 Z

Fターム (17件)：

5F083AD21 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083HA10 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR18 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-044731
  
• 半導体装置製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-230336   出願人：株式会社日立製作所