特許
J-GLOBAL ID：200903034025514731
発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236845
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321338
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】発光層の界面におけるミスフィット転位の発生が抑えられ、かつ、より長い波長の発光が容易に得られる発光素子を提供する。【解決手段】一般式In<SB>a </SB>Ga<SB>b </SB>Al<SB>c </SB>N(式中、0≦a<1、0<b<1、0.05≦c<1、a+b+c=1)で表される3-5族化合物半導体よりなる下地層と、該下地層よりバンドギャップの小さい一般式In<SB>x </SB>Ga <SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体層よりなる発光層と、該発光層よりバンドギャップが大きく一般式In<SB>a'</SB>Ga<SB>b'</SB>Al<SB>c'</SB>N(式中、0≦a’<1、0<b’≦1、0≦c’<1、a’+b’+c’=1)で表される3-5族化合物半導体よりなる保護層とがこの順に積層されてなり、該発光層の格子定数が該下地層の格子定数より大きく、かつ発光層に対して接合方向に圧縮応力が加わってなる構造を有する発光素子。
請求項（抜粋）：
一般式In<SB>a </SB>Ga<SB>b </SB>Al<SB>c </SB>N(式中、0≦a<1、0<b<1、0.05≦c<1、a+b+c=1)で表される3-5族化合物半導体よりなる下地層と、該下地層よりバンドギャップの小さい一般式In<SB>x </SB>Ga <SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体層よりなる発光層と、該発光層よりバンドギャップが大きく一般式In<SB>a'</SB>Ga<SB>b'</SB>Al<SB>c'</SB>N(式中、0≦a’<1、0<b’≦1、0≦c’<1、a’+b’+c’=1)で表される3-5族化合物半導体よりなる保護層とがこの順に積層されてなり、該発光層の格子定数が該下地層の格子定数より大きく、かつ発光層に対して接合方向に圧縮応力が加わってなる構造を有することを特徴とする発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
, H01S 3/18
