特許
J-GLOBAL ID：200903083824518228
化合物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-098633
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293643
出願日： 1995年04月24日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体発光素子の製造工程においてInの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。【構成】 Inを含む活性層5の形成後、Inの遊離が生じない程度の温度で蒸発防止層6を形成する。蒸発防止層6としてp型AlX Ga1-X N(0≦X≦1)などが用いられる。上部クラッド層7を形成するため基板温度を1020°C程度の高温に上げても蒸発防止層6の存在により活性層5からInの遊離が生ずることがない。これによりInの組成比を制御することが容易となり、かつ良質の活性層および活性層の界面を提供することができる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成されたInを含む活性層と、前記活性層上に形成された蒸発防止層と、前記蒸発防止層上に形成された上部クラッド層とを含む、化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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