結晶シリコン薄膜の形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西藤征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148937
公開番号（公開出願番号）：特開平10-001392
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】安価な基板を使用することによりLPEのコストを低減し、しかも良質な結晶が得られるというLPEの特性を最大限に活かすことができる結晶シリコン薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】溶媒にシリコンを高温で飽和させ、その飽和溶液を冷却して過飽和となるシリコンを析出,成長させる液相成長法により基板5表面に結晶シリコン薄膜16bを形成させる方法であって、シリコンとは異なる材料からなる基板5を準備し、上記基板5の表面に酸化ケイ素膜15を形成したのち、アルミニウムを添加した溶媒を使用して上記酸化ケイ素膜15上に液相成長させることにより、上記基板5上に結晶シリコン薄膜16bを形成するようにした。

請求項（抜粋）：

溶媒にシリコンを高温で飽和させ、その飽和溶液を冷却して過飽和となるシリコンを析出,成長させる液相成長法により基板表面に結晶シリコンの薄膜を形成させる方法であって、シリコンとは異なる材料からなる基板を準備し、上記基板の表面に酸化ケイ素膜を形成したのち、アルミニウムを添加した溶媒を使用して上記酸化ケイ素膜上に液相成長させることにより、上記基板上に結晶シリコンの薄膜を形成させることを特徴とする結晶シリコン薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 501 , C30B 19/02 , H01L 21/20 , H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 29/06 501 B , C30B 19/02 , H01L 21/20 , H01L 21/208 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

薄膜多結晶Si太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347468 出願人：キヤノン株式会社
特開昭62-036099
特開昭62-036099

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