特許
J-GLOBAL ID：200903034069324751

電磁界発生素子、情報記録再生ヘッドおよび情報記録再生装置

発明者：
宮西 晋太郎

宮西 晋太郎 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-031149
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120294
出願日： 2005年02月07日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 近接場による光アシスト磁気記録再生の高周波磁気記録再生ヘッドにおいて、磁界の減衰または、遅延を低減させることができる電磁界発生素子、情報記録再生ヘッドおよび情報記録再生装置を提供する。【解決手段】 本発明の電磁界発生素子100は、電流iが導体110を流れると、狭窄部130における堤状部141・142の近傍で磁界Bが発生し、狭窄部130に光Piが基板160側から光学素子163を介して導体110と狭窄部130の界面に照射されることにより、該界面に垂直な電界ベクトルVeによる表面プラズモンDspが励起され、堤状部142近傍に近接場NFが発生する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光源と、導体が積層された基板とを有し、前記導体にはその一部が狭窄されることで該導体に流れる電流の経路を狭窄する狭窄部が形成されると共に、該狭窄部をなす前記導体の縁部は導体表面よりも盛り上がった堤状構造部をなしており、前記光源からの光が前記狭窄部の形成部位に照射されることで、該狭窄部における前記堤状構造部に近接場を発生することを特徴とする電磁界発生素子。
IPC (3件)：
G11B 5/02 ,  G11B 11/10 ,  G11B 11/105
FI (5件)：
G11B5/02 T ,  G11B11/10 502Z ,  G11B11/105 566C ,  G11B11/105 566D ,  G11B11/105 571D
Fターム (5件)：
5D075CC39 ,  5D075CF03 ,  5D091AA08 ,  5D091CC17 ,  5D091CC24
引用特許：
出願人引用 (4件)
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