特許
J-GLOBAL ID：200903034086847440
多孔質体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 和郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256233
公開番号（公開出願番号）：特開2000-154273
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 低密度で、平均孔径の小さな多孔質体およびその製造方法、ならびに断熱性の優れた断熱体および誘電性能に優れた絶縁体を有する半導体回路を提供すること。【解決手段】 ポリイミド系樹脂の乾燥ゲルからなり、みかけ密度が800kg/m3以下、平均孔径が1μm以下である多孔質体。
請求項（抜粋）：
ポリイミド系樹脂の乾燥ゲルからなり、みかけ密度が800kg/m3以下、平均孔径が1μm以下である多孔質体。
IPC (5件)：
C08J 9/28 101
, C08J 9/36 CFG
, C08L 79/08
, H01L 21/312
, H01L 21/768
C08J 9/28 101
, C08J 9/36 CFG
, C08L 79/08 A
, H01L 21/312 B
, H01L 21/90 S
