特許

J-GLOBAL ID：200903034112134155

絶縁層およびこれを形成する方法

発明者： ソムナス エス.ナグ ,  ギリッシュ エー. ディグジット ,  スリカンス クリシュナン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-203904
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167765
出願日： 1996年08月01日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】 絶縁層の形成にあたり、累積電荷を除き、および/またはトランジスタゲートの酸化膜の物理的な破壊を防止すること。【解決手段】 第1段階に共形デポジット(202)による低容量結合されたRFバイアスによる絶縁体のデポジットを行い、次にプレーナー化デポジット(204)のための高容量結合されたRFバイアスによる絶縁体のデポジットを2段階でプラズマエンハンス絶縁体のデポジットを行う。これにより、下方の構造体(104、106、108)に累積する電荷が制限される。

請求項（抜粋）：

突起を含む表面に設けられた絶縁層であって、(a)プラズマエンハンスデポジットにより前記表面および突起上に第1絶縁材料によって形成された第1共形サブ層と、(b)プラズマエンハンスデポジットにより前記第1サブ層上に第2の絶縁材料により形成された第2プレーナー化サブ層とを備えた絶縁層。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/52 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/316 M ,  C23C 16/52 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 29/78 301 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-280539
  
• プラズマ成膜方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-353549   出願人：東京エレクトロン株式会社, 富士電機株式会社