特許

J-GLOBAL ID：200903003991939878

プラズマ成膜方法及びその装置

発明者： 天野 秀昭 ,  片桐 源一 ,  虎口 信
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  富士電機株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-353549
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335573
出願日： 1995年12月29日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 電子サイクロトロン共鳴(ECR)を用いたプラズマ処理により例えば絶縁層間膜を形成するにあたり、内部のゲート酸化膜へのダメージを防止すること。【構成】 ECRを利用してプラズマを発生させ、このプラズマにより例えばSiH4 ガスを活性化させて例えばアルミニウム配線上にSiO2 膜を成膜する場合、成膜初期時にはウエハの載置台のRFバイアス電力を例えばゼロにし、いわばソフトなプラズマにより成膜を行い、薄いSiO2 膜が形成された後はRFバイアス電力を印加してウエハにイオンを引き込み、スパッタリングと堆積作用により凹部を埋め込む。このとき薄いSiO2 膜が絶縁保護膜の役割を果たし、ゲート酸化膜へ大きな電圧が加わらない。

請求項（抜粋）：

被処理基板の載置台が内部に設けられた真空容器内に磁界を形成すると共にプラズマ発生用の高周波を供給し、電子サイクロトロン共鳴を用いてプラズマガスをプラズマ化し、そのプラズマにより反応性ガスを活性化させると共に載置台にプラズマ引き込み用の高周波を供給しながら被処理基板上に絶縁膜を形成するプラズマ成膜方法において、前記載置台に供給される高周波の電力値を、成膜初期時には第1の値とし、被処理基板の表面が薄膜成分により覆われた後はプラズマ引き込みのために第1の値よりも大きな第2の値とすることを特徴とするプラズマ成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-280539
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-178621   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
• 半導体装置における絶縁層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-253264   出願人：日本プレシジョン・サーキッツ株式会社