特許
J-GLOBAL ID：200903034116350537
高電子移動度トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343405
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189944
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 電子走行層の電子移動度が高いGaN系の高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】 電子走行層がGaN系化合物半導体層からなり、電子供給層が電子走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいGaN系化合物半導体層からなる高電子移動度トランジスタであって、前記電子走行層はIn、AsまたはPを1×1019cm-3以上、5×1020cm-3以下含む。
請求項（抜粋）：
電子走行層がGaN系化合物半導体層からなり、電子供給層が前記電子走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいGaN系化合物半導体層からなる高電子移動度トランジスタであって、前記電子走行層はIn、AsまたはPを1×1019cm-3以上、5×1020cm-3以下含むことを特徴する高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
