キャリア搭載型半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-066496
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266053
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザチップが搭載されたサブマウントとそれらを搭載するキャリアのはんだ固定部に生じる応力を低減し、はんだ固定前と変わらない光スペクトルのレーザ光を得る。【解決手段】外形寸法が0.6mm×0.4mm×0.13mmの分布帰還型半導体レーザチップ1は外形寸法が0.9mm×1.7mm×0.25mmで線熱膨張係数が3.8×10-6/°CのAlN製サブマウント2に融点280°CのAu/Sn共晶はんだ3を用いて固定されている。 AlN製サブマウント2は線熱膨張係数が4.5×10-6/°Cのタングステン製キャリア4に融点280°CのAu/Sn共晶はんだ3を用いて固定されている。サブマウントとキャリアのはんだ固定部に生じる応力およびはんだ固定部からサブマウントを介して半導体レーザチップに伝わる応力を低減することによって、サブマウントをキャリアにはんだ固定する前と同じスペクトルを有するレーザ光を得ることができる。この結果、たとえばサイドモード抑圧比不良のような光スペクトルに関係する不良の発生率を低減することが可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体レーザチップをセラミック製サブマウントにAu/Sn共晶はんだを用いて固定した後、前記セラミック製サブマウントを半導体レーザチップ搭載用金属キャリアにAu/Sn共晶はんだ融点以下の融点を有するはんだ材を用いて固定したキャリア搭載型半導体レーザにおいて、前記セラミック製サブマウントと前記半導体レーザチップ搭載用金属キャリアの線熱膨張係数差が1×10-6/°C以下となるセラミック及びキャリア材料を適用したことを特長とするキャリア搭載型半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

光素子モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-254991 出願人：株式会社日立製作所
光通信用モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-254048 出願人：京セラ株式会社
特開平3-120884

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