特許

J-GLOBAL ID：200903034137778685

情報記録再生装置

発明者： 塚本 隆之 ,  久保 光一 ,  平井 隆大 ,  青木 伸也 ,  ロビン・カーター ,  鎌田 親義
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-336115
公開番号（公開出願番号）：特開2008-084512
出願日： 2006年12月13日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】高記録密度及び低消費電力の不揮発の情報記録再生装置を提供する。【解決手段】本発明の例に関わる情報記録再生装置は、記録層と、記録層に電圧を印加して記録層に抵抗変化を発生させてデータを記録する手段とを含む。記録層は、少なくとも2種類の陽イオン元素を有する複合化合物から構成され、陽イオン元素の少なくとも1種類は、電子が不完全に満たされたd軌道を有する遷移元素であり、隣接する陽イオン元素間の最短距離は、0.32nm以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

記録層と、前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化を発生させて情報を記録する手段とを具備し、前記記録層は、少なくとも2種類の陽イオン元素を有する複合化合物から構成され、前記陽イオン元素の少なくとも1種類は、電子が不完全に満たされたd軌道を有する遷移元素であり、隣接する陽イオン元素間の最短距離は、0.32nm以下であることを特徴とする情報記録再生装置。

IPC (2件)：

G11B 9/04 ,  H01L 27/10

FI (2件)：

G11B9/04 ,  H01L27/10 451

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-062131   出願人：ソニー株式会社
• 半導体記憶装置及びメモリセルの書き込み並びに消去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-018645   出願人：シャープ株式会社