特許

J-GLOBAL ID：200903034149853607

化合物半導体成長層及びその製造方法

発明者： 三木 久幸 ,  宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-047593
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246596
出願日： 1996年03月05日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光装置の発光強度の増大をもたらす新たな成長雰囲気による窒素を含む III-V族化合物半導体薄膜の気相成長方法を提供する。【解決手段】 水素と分子量(M)の第VIII族元素の単原子分子気体の混合比率(r)を0.80{(M’-2)/(M-2)}≦r≦1.2{(M’-2)/(M-2)}とする混合気体の雰囲気中で含窒素 III-V族化合物半導体を成長する成長法により、バンド端のフォトルミネッセンス強度(I0 )と550nm以上650nm以下の波長領域に中心波長を有するフォトルミネッセンス発光の強度(I)との強度比(I0 /I)を10以上とする含窒素 III-V族化合物半導体を成長させる。このうち、I0 /Iを20以上とする含窒素 III-V族化合物半導体層を発光層とする。

請求項（抜粋）：

バンド端のフォトルミネッセンス発光強度(I0 )と550nm以上650nm以下の波長領域に中心波長を有するフォトルミネッセンス発光の強度(I)との比(I0 /I)が10以上である含窒素 III-V族化合物半導体成長層。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-106554   出願人：日亜化学工業株式会社