特許

J-GLOBAL ID：200903034152022600

フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子

発明者： 李 根守 ,  鄭 載昌 ,  申 起秀
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-164543
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055408
出願日： 2002年06月05日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 VUV(157nm)光源でも用いることができるフォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体を提供する。【解決手段】 下記式(1)で示されるフォトレジスト単量体、その重合体及びこれを含むフォトレジスト組成物に関する。前記式(1)のR1は置換又は非置換された直鎖又は側鎖炭素数C1〜C10のアルキレン、又はエーテルグループを含むC1〜C10のアルキレンであり、R2,R3は各々H,CF3CH3であり、mは1〜5の整数である。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】前記式で、R1は、置換又は非置換された直鎖又は側鎖炭素数C1〜C10のアルキレン、又はエーテルグループ(-O-)を含む置換又は非置換された直鎖又は側鎖炭素数C1〜C10のアルキレンで、R2及びR3は、各々H、CF3又はCH3であり、mは、1〜5の中から選択される整数である。

IPC (8件)：

C08F 20/22 ,  C08F 4/04 ,  C08F 4/32 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  C08F232/04 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (8件)：

C08F 20/22 ,  C08F 4/04 ,  C08F 4/32 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  C08F232/04 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-244608
  
• ポジ型フォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-327091   出願人：富士写真フイルム株式会社