特許

J-GLOBAL ID：200903034157134032

ペロブスカイト・マンガネート材料にもとづく新規な磁気抵抗素子

発明者： ジョナサン・ザンホン・サン ,  アラナバ・ガプタ ,  ガン・キアノ ,  フィリップ・ルイス・スローイロウド ,  フィリッペ・ピィ・レコエア
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-053689
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012945
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 添加ペロブスカイト・マンガネート薄膜を強磁性要素として用い、3層構造を通じて電流が輸送される、3層薄膜磁気抵抗素子を提供すること。【解決手段】 3層薄膜磁気抵抗素子が、第1のまたは最下部の薄膜磁性層2と、第2のまたは中間の層3と、第3のまたは最上部の薄膜磁性層4とを含み、前記第1または第3の層の少なくとも一方が添加マンガネート・ペロブスカイトである。約2倍の大きな磁気抵抗変化が、前記要素材料の飽和保磁力に近い150Oe以下の低磁場において獲得される。この素子は、マンガネート内の低磁場スピン依存輸送が達成され、結果の磁気抵抗の大きさが磁気抵抗磁場センサ・アプリケーションに好適であることを示している。

請求項（抜粋）：

第1のまたは最下部の薄膜磁性層と、第2のまたは中間の層と、第3のまたは最上部の薄膜磁性層と、を含み、前記第1または第3の層の少なくとも一方が添加マンガネート・ペロブスカイトである、3層薄膜磁気抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/00

FI (4件)：

H01L 43/08 M ,  H01L 43/08 Z ,  H01F 10/00 ,  G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-020975   出願人：株式会社日立製作所
• 容量素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-000043   出願人：日本電気株式会社