バイポーラトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007028
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199511
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】メサ型バイポーラトランジスタの形成において、ベース形成層上でエミッタ層をパターン形成する際にベ-ス層の外部ベース領域がオーバーエッチングされて薄くなり、ベース抵抗が上昇する。【解決手段】基板11の表面側に形成されたコレクタ層11aと、コレクタ層11aに接続する状態で基板11上に配置されたベース層12aと、ベース層12a上に配置されたエミッタ層13aとを備えてなるメサ型のバイポーラトランジスタ1において、ベース層12aの外部ベース領域A下面にポリシリコン層113aと基板11に不純物を拡散させてなる拡散層114aとからなる補助ベース層14aを配置する。そして、外部ベース領域Aの導電性を補助ベース層14aによって補償する。

請求項（抜粋）：

基板の表面側に形成されたコレクタ層と、当該コレクタ層に接合する状態で前記基板上に配置されたベース層と、当該ベース層上に配置されたエミッタ層と、を備えてなるメサ型のバイポーラトランジスタであって、前記エミッタ層の側方下部における前記ベース層の外部ベース領域下面には、不純物を含有するポリシリコン層,金属シリサイド及び前記基板の表面層に形成された拡散層のうちの少なくとも一つからなる補助ベース層が配置されていること、を特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-106937
特開平2-106937
特開平2-150033

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