特許
J-GLOBAL ID：200903034203345884
パワーモジュール用基板及びその製造方法並びにこの基板を用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235059
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035982
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】セラミック基板を損傷させることなく半導体素子等から水冷式ヒートシンクまでの伝達経路を短くして半導体素子からの熱を有効に放散する。【解決手段】パワーモジュール用基板は、回路パターン17が形成されたセラミック基板11と、この基板を水冷式ヒートシンクに接合可能な金属枠12とを備える。金属枠はセラミック基板又は回路パターンを含むセラミック基板の厚さと同一厚さを有しかつ複数の貫通孔12aが形成される。貫通孔に連通する通孔13aを有しかつセラミック基板11の表面周囲の一部又は全部に下面が当接する当接部13bを含む金属薄板13が金属枠の表面に配置される。半導体装置は、回路パターンに半導体素子23が搭載され、通孔及び貫通孔に雄ねじ26が挿通され、雄ねじを水冷式ヒートシンク27の雌ねじ27aに螺合することによりパワーモジュール用基板21が水冷式ヒートシンク27に直接接合される。
請求項（抜粋）：
表面に回路パターン(17,111a)が形成されたセラミック基板(11,111)と、前記セラミック基板(11,111)の周囲に設けられ前記セラミック基板(11,111)を水冷式ヒートシンク(27)に接合可能に構成された金属枠(12,62,72,112)とを備えたパワーモジュール用基板。
IPC (3件)：
H01L 23/473
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/46 Z
, H01L 25/04 C
5F036AA01
, 5F036BA10
, 5F036BB01
, 5F036BB08
, 5F036BC03
, 5F036BD13
