特許

J-GLOBAL ID：200903034220165474

露光用原図基板

発明者： 堀内 敏行 ,  竹内 良亘
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-085184
公開番号（公開出願番号）：特開平6-273914
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 斜入射照明して投影露光する際、解像性の劣化や焦点深度の低下を生ずる周期パタン端部のパタンのみを、周期パタンのその他の部分より所定の量大きく設計することにより、周期パタン端部のパタンの解像性劣化、レジストの厚さの減少、線幅の減少を押さえ、焦点深度を周期パタンのその他の部分と同等またはそれより大きくすることができ、実際的な高解像化と大焦点深度を得る。【構成】 原図基板30に遮光部31と、この遮光部31間に位置する周期的な遮光ラインパタン32および透過スペースパタン33を交互に繰り返し形成する。遮光ラインパタン32と透過スペースパタン33の幅は両端の透過スペースパタン33aを除いて投影露光光学系の一様な周期パタンの解像限界に近い微細幅wとし、透過スペースパタン33aの幅を他の透過スペースパタン33の線幅wより大きい幅(w+Δw)に設定する。

請求項（抜粋）：

原図基板上の半導体集積回路等の微細パタンを、被露光基板上に形成した感光性材料に、投影露光、転写し、前記微細パタンの潜像を形成する際用いる露光用原図基板において、前記原図基板上に存在する周期微細パタンの両端または両端付近の部分でのみ、パタン幅を前記周期微細パタン中のその他の部分のパタン幅より大きくしたことを特徴とする露光用原図基板。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レジストパターン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-201879   出願人：株式会社ソルテック
• 特開平4-206813
  
• 特開平4-130709