特許

J-GLOBAL ID：200903034227667793

裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 山中 英雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松尾 憲一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-073644
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268238
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】縦型のオーバーフロードレイン構造を有する裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法において、小型化・軽量化・高感度化・高精細化・安価という要求を満たすことができる裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】オーバーフロードレイン層を設けた半導体基板にCCDまたはCMOSセンサなどからなる固体撮像素子を形成するとともに、スクライブラインに沿って半導体基板をエッチングすることによりオーバーフロードレイン層を露出させる溝を形成し、この溝の壁面にオーバーフロードレイン層と導通する配線を設け、スクライブラインに沿って半導体基板を切断して縦型のオーバードレイン構造を有する裏面照射型固体撮像装置を形成する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

オーバーフロードレイン層を設けた半導体基板層に固体撮像素子を形成するとともに、 スクライブラインに沿って前記半導体基板層をエッチングすることにより前記オーバーフロードレイン層を露出させる溝を形成し、 この溝の壁面に少なくとも前記オーバーフロードレイン層と導通する配線を設け、 前記スクライブラインに沿って前記半導体基板を切断して形成した縦型オーバーフロードレイン構造及び電子シャッタ機能を有する裏面照射型固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L27/14 ,  H01L27/146

FI (2件)：

H01L27/14 D ,  H01L27/14 A

Fターム (18件)：

4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118BA13 ,  4M118CA01 ,  4M118CA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA06 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA13 ,  4M118FA33 ,  4M118FA35 ,  4M118GA02 ,  4M118HA02 ,  4M118HA07 ,  4M118HA11 ,  4M118HA31

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像素子及びその製造方法、並びに固体撮像素子の露光時間制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-068935   出願人：ソニー株式会社