固体撮像素子及びその製造方法、並びに固体撮像素子の露光時間制御方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068935
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257337
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】裏面照射型の固体撮像素子において、電荷を裏面側へ掃き捨てる縦型オーバーフロードレイン構造及び電子シャッタ機能を可能にする。【解決手段】裏面照射型の固体撮像素子であって、全面が空乏化する程度の高抵抗半導体層21の一方の面に撮像素子が形成され、高抵抗半導体層21の裏面に第2導電型層23、第1導電型層24及び透明電極25が順次形成されて成る。

請求項（抜粋）：

裏面照射型の固体撮像素子であって、裏面に透明電極を有して、裏面側に電荷を掃き捨てるようにして成ることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 5/335 F , H04N 5/335 Q , H04N 5/335 U , H01L 27/14 C

Fターム (23件)：

4M118AA02 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118BA08 , 4M118BA12 , 4M118CA08 , 4M118DA03 , 4M118DB08 , 4M118FA06 , 4M118FA12 , 4M118FA40 , 4M118FB04 , 4M118FB09 , 4M118GA02 , 5C024BX00 , 5C024CX43 , 5C024CX54 , 5C024CY47 , 5C024EX31 , 5C024GX24 , 5C024GY01 , 5C024GZ03

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-189973
半導体部材の製造方法および半導体部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-310331 出願人：キヤノン株式会社
特開昭56-165473

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