特許
J-GLOBAL ID:200903034231594342
半導体デバイス検査装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-193335
公開番号(公開出願番号):特開2001-024040
出願日: 1999年07月07日
公開日(公表日): 2001年01月26日
要約:
【要約】【課題】 基板内部に形成された半導体デバイスを明瞭に撮像できる半導体デバイス検査装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体デバイス検査装置は、基板Sの裏面より半導体デバイスの回路像を撮像するための第一の撮像部11と、基板からの発光を裏面より撮像するための第二の撮像部7と、第一の撮像部11によって撮像された第一の画像の画素データDLと、第二の撮像部7によって撮像された第二の画像の画素データDCとを標準画素データに変換し、画像上の位置を一致させて重畳加算するための加算部30fと、加算部30fから出力される重量加算データに基づいて、表示部に再生画像を表示させる重畳表示制御手段30gとを備えることを特徴とする。
請求項(抜粋):
基板に設けられた半導体デバイスからの発光を検出し評価を行う半導体デバイス検査装置であって、前記基板の裏面より前記半導体デバイス像を撮像するための第一の撮像部と、前記基板からの発光を裏面より撮像するための第二の撮像部と、前記第一の撮像部によって撮像された第一の画像の画素データと、前記第二の撮像部によって撮像された第二の画像の画素データとを、それぞれ標準画素データに変換し、画像上の位置を一致させて重畳加算するための加算部と、前記加算部から出力される重量加算データに基づいて、表示部に再生画像を表示する表示制御手段とを備えることを特徴とする半導体デバイス検査装置。
IPC (4件):
H01L 21/66
, G01N 21/88
, G01R 1/06
, G01R 31/302
FI (4件):
H01L 21/66 C
, G01N 21/88 Z
, G01R 1/06 F
, G01R 31/28 L
Fターム (58件):
2G011AC00
, 2G011AC04
, 2G011AC10
, 2G032AA00
, 2G032AB20
, 2G032AE09
, 2G032AF07
, 2G051AA51
, 2G051AA61
, 2G051AA65
, 2G051AB06
, 2G051AB20
, 2G051BA01
, 2G051BA06
, 2G051BA10
, 2G051BB09
, 2G051BB17
, 2G051CA03
, 2G051CA04
, 2G051CA07
, 2G051CB01
, 2G051CB05
, 2G051CC09
, 2G051DA07
, 2G051EA11
, 2G051EA14
, 2G051EB01
, 2G051EB02
, 2G051ED07
, 2G051ED11
, 2G051FA10
, 2G051GC04
, 4M106AA02
, 4M106BA05
, 4M106BA08
, 4M106BA10
, 4M106BA14
, 4M106CA27
, 4M106DH12
, 4M106DH31
, 4M106DH50
, 4M106DJ04
, 4M106DJ05
, 4M106DJ11
, 4M106DJ21
, 4M106DJ23
, 9A001BB02
, 9A001BB03
, 9A001BB04
, 9A001BB05
, 9A001EE02
, 9A001HH24
, 9A001HH28
, 9A001JJ45
, 9A001KK37
, 9A001KK54
, 9A001LL02
, 9A001LL05
引用特許:
審査官引用 (3件)
-
特開平4-111441
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ウェハ検査装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-193450
出願人:株式会社ニコン
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半導体デバイス検査システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-272519
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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