特許

J-GLOBAL ID：200903034254234653

基板処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： 谷山 智志 ,  遠目塚 幸二 ,  柳川 周作
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気 ,  ソニー株式会社
代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211952
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031515
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 原料の蒸気を確実に基板に供給する。【解決手段】 アウタ管21の外側に基板加熱用の主ヒータ22を設け、アウタ管21の内側にインナ管23を設け、インナ管23内に昇降可能なキャップ24を挿入し、キャップ24にボート25を載置し、キャップ24に原料昇華部46および断熱部36を設け、キャップ24にヒータ部45を着脱可能に取り付け、ヒータ部45の昇華用ヒータ26を炉内に位置させ、昇華用ヒータ26の上部に原料昇華部46の原料載置板34を設け、原料載置板34の外周部に複数の柱材35を設け、柱材35に断熱部36を支持し、断熱部36を原料昇華部46と基板処理領域との間に位置させ、断熱部36に石英ウールを詰める。

請求項（抜粋）：

基板加熱用の主ヒータを有し、該主ヒータにより反応室内の基板を加熱処理する基板処理装置において、前記反応室内に昇華用ヒータと原料が載置される原料昇華部とを設け、前記昇華用ヒータは前記原料昇華部の近傍に設け、前記昇華用ヒータにより前記原料を加熱し、昇華させることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/225 ,  H01L 21/22 511

FI (2件)：

H01L 21/225 D ,  H01L 21/22 511 Q

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特公昭35-001578
  
• 特開昭60-020510
  
• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-145555   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-010721
  

審査官引用 (4件)

• 特公昭35-001578
  
• 特開昭60-020510
  
• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-145555   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-010721