特許
J-GLOBAL ID：200903034257329060

パワーモジュール用基板の製造方法

発明者：
青木 慎介

青木 慎介 について

, 
長瀬 敏之

長瀬 敏之 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (5件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  青山 正和 ,  村山 靖彦 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-155403
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311294
出願日： 2007年06月12日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】ロウ材の回り込みの発生を抑制すると共に接合性を向上させたパワーモジュール用基板の製造方法を提供すること。【解決手段】金属母材21を打ち抜き、外縁部に外縁端に向かうにしたがって反り上がる反上部15、17を有する金属層12及び回路層13を形成する打抜工程と、反上部15、17がセラミックス基板11から離間する方向に向けて反り上がるように金属層12及び回路層13をセラミックス基板11上に配置し、金属層12及び回路層13とセラミックス基板11とをロウ付け接合する接合工程とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
セラミックス基板の表面に板状の金属部材がロウ付け接合されたパワーモジュール用基板の製造方法において、 金属母材を打ち抜き、外縁部に外縁端に向かうにしたがって反り上がる反上部を有する金属部材を形成する打抜工程と、 前記反上部が前記セラミックス基板から離間する方向に向けて反り上がるように前記金属部材を前記セラミックス基板上に配置し、前記金属部材と前記セラミックス基板とをロウ付け接合する接合工程とを備えることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/40
FI (4件)：
H01L23/36 Z ,  H01L23/12 J ,  H01L23/40 A ,  H01L23/40 F
Fターム (13件)：
5F136BA30 ,  5F136BB04 ,  5F136BB18 ,  5F136DA41 ,  5F136EA13 ,  5F136EA61 ,  5F136FA02 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA17 ,  5F136FA82 ,  5F136GA02 ,  5F136GA12
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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