特許
J-GLOBAL ID：200903078739356908

放熱構造体の製造方法

発明者：
坂輪 盛一

坂輪 盛一 について

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杉本 勲

杉本 勲 について

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宇都 学

宇都 学 について


出願人/特許権者：
電気化学工業株式会社

電気化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-189010
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009212
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】半導体素子接合の際にフラックスレスでも放熱性を損なうことのないはんだ付け性を得ることのできる放熱構造体を、低コストに、しかも再現性高く提供する。【解決手段】表面に少なくともアルミニウム回路を有し、裏面に金属板を有するセラミックス回路基板の前記金属板を、ろう材を介して、銅製のヒートシンクに接合する第1の工程、前記ヒートシンクの前記ろう材との接合面を除く部分と前記セラミックス回路基板上のアルミニウムからなる回路表面とにニッケル層を設ける第2の工程、を順次経ることを特徴とする放熱構造体の製造方法である。
請求項（抜粋）：
表面に少なくともアルミニウム回路を有し、裏面に金属板を有するセラミックス回路基板の前記金属板を、ろう材を介して、銅製のヒートシンクに接合する第1の工程、前記ヒートシンクの前記ろう材との接合面を除く部分と前記セラミックス回路基板上のアルミニウムからなる回路表面とにニッケル層を設ける第2の工程、を順次経ることを特徴とする放熱構造体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/40
FI (5件)：
H01L 23/40 F ,  H01L 23/40 A ,  H01L 23/36 Z ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 M
Fターム (6件)：
5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BC33 ,  5F036BD01
引用特許：
審査官引用 (11件)
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