特許

J-GLOBAL ID：200903034262285003

Siエピタキシャル膜の選択成長法

発明者： 内海 裕一 ,  赤沢 方省
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216945
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196423
出願日： 1993年08月10日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 Siデバイスのセルフ・アライン構成を製作条件の自由度を広く保ちながら、安定性良く実現可能とした。【構成】 真空排気ポンプ1を有する成長室2内には、部分的にSiO2 パターンを有した面方位(100)のSi基板3が加熱機構4に設置されて配置され、このSi基板3が加熱機構4により所定温度に加熱した状態でガスセル5からジシランボンベ6内に充填されたジシランガスをこのSi基板3の表面に供給するとともに電子蓄積リング7で発生した真空ダクト8を通じて成長室2内に導入されたシンクロトロン放射光9でSi基板3の表面を照射する。

請求項（抜粋）：

シラン系ガスを原料供給ガスとし、単結晶Si基板上に絶縁膜パターンを部分的に形成した基板を高真空下で所定温度に加熱した状態にし、前記絶縁膜パターン以外の露出した単結晶Si上のみにSiエピタキシャル膜を成長させるSiエピタキシャル膜の製造方法において、前記加熱した基板の表面に紫外光もしくは紫外光より波長の短い光を照射する第1の工程と、前記加熱した基板の表面に前記シラン系ガスを供給する第2の工程と、を同時に行うことを特徴とするSiエピタキシャル膜の選択成長法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-238620
  
• 特開平4-091428
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-168575   出願人：富士通株式会社