特許
J-GLOBAL ID：200903034263774750
基板処理装置および方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-189360
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041261
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 洗浄処理中に、コロイダルシリカや自然酸化膜が生成しない基板処理装置および方法を提供する。【解決手段】 基板保持手段11に保持された基板Wに対向して遮蔽板22が配置されている。基板Wと遮蔽板22との間の空間に不活性ガスを供給しながら基板W表面にリンス液を供給する。不活性ガスは基板Wと遮蔽板22との間の空間において基板W表面に沿って流れるので、当該空間に満たされた不活性ガスに空気が混入することがなくなり、リンス洗浄処理中にも、リンス液に酸素が溶込むことがなくなり、コロイダルシリカや自然酸化膜が生成することがなくなる。
請求項（抜粋）：
基板を保持して回転する基板保持部と、基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板と、前記基板保持部に保持された基板に、当該基板の表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給手段と、前記基板保持部に保持された基板に、当該基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給手段と、前記基板保持部に保持された基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/027
H01L 21/304 341 G
, H01L 21/304 341 N
, H01L 21/30 569 C
, H01L 21/30 569 F
