特許
J-GLOBAL ID：200903090605342943

半導体ウエハ遠心乾燥装置および方法

発明者：
逢坂 勉

逢坂 勉 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-127914
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293702
出願日： 1996年04月24日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】 ウォーターマークの発生やパーティクルの付着がなく、しかも乾燥用流体の使用量を少なくすることが可能な半導体ウエハ遠心乾燥方法およびその装置を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ1を水平に保持したスピナー4を回転させ、遠心力を利用して前記半導体ウエハ1の表面に付着した水分をふり切って半導体ウエハ1を乾燥させる半導体ウエハ遠心乾燥装置において、前記半導体ウエハ1を覆い乾燥用流体を前記半導体ウエハ1の表面に導く乾燥用ガイド2,5を設けた。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを水平に保持したスピナーを回転させ、遠心力を利用して前記半導体ウエハの表面に付着した水分をふり切って半導体ウエハを乾燥させる半導体ウエハ遠心乾燥装置において、前記半導体ウエハを覆い乾燥用流体を前記半導体ウエハの表面に導く乾燥用ガイドを設けたことを特徴とする半導体ウエハ遠心乾燥装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 361 ,  H01L 21/304
FI (2件)：
H01L 21/304 361 S ,  H01L 21/304 361 H
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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