特許

J-GLOBAL ID：200903034271541195

カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 武田 晴治 ,  武笠 幸一 ,  石井 睦 ,  尾崎 弘一 ,  澤村 誠 ,  細井 浩貴 ,  服部 聡史 ,  山田 良樹 ,  末岡 和久
出願人/特許権者： 国立大学法人 北海道大学
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2007056580
公開番号（公開出願番号）：WO2007-114140
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

本発明は、チャネル作製の歩留まりを向上させることができるカーボンナノチューブ電界効果トランジスタの製造方法に関する。硫酸と硝酸の混合酸に分散したカーボンナノチューブを、過酸化水素水を用いてラジカル処理することによって切断し、カルボキシル基が導入されたカーボンナノチューブフラグメントを得る。カーボンナノチューブフラグメントを、カルボキシル基と結合する官能基が導入された基板のソース電極形成予定部位およびドレイン電極形成予定部位に、共有結合および/または静電的結合により結合させる。基板に結合されたカーボンナノチューブフラグメントと、チャネルとなるカーボンナノチューブとをπ-π相互作用により結合させ、チャネルとなるカーボンナノチューブを基板に固定させる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ソース電極とドレイン電極とを接続するカーボンナノチューブからなるチャネルを有する電界効果トランジスタであって、 前記カーボンナノチューブを前記基板に固定するカーボンナノチューブフラグメントをさらに有し、 前記カーボンナノチューブフラグメントは、その表面にカルボキシル基またはカルボキシル基の誘導体を有する、電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (10件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 625 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 250Z ,  H01L29/28 370

Fターム (31件)：

5F110AA16 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG28 ,  5F110GG30 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK41

引用特許：

出願人引用 (2件)

• バイオセンサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-146480   出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 高密度カーボンナノチューブフィルムまたはパータンを用いたバイオチップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-056210   出願人：韓国科学技術園