特許
J-GLOBAL ID:200903055297905761
高密度カーボンナノチューブフィルムまたはパータンを用いたバイオチップの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
▲吉▼川 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-056210
公開番号(公開出願番号):特開2005-040938
出願日: 2004年03月01日
公開日(公表日): 2005年02月17日
要約:
【課題】 基質上に化学的な結合によって高密度に反複的に固定され、表面に化学的な作用基が露出されたCNTフィルムの製造方法の提供。【解決手段】(a)表面にアミン基が露出されたパターン基質とカルボキシル基が露出されたCNTを反応させ、アミン基とカルボキシル基間のアミド化反応によって、基質表面にCNT単層を形成する段階;(b)CNT単層とジアミンを反応させて、CNT単層上に有機アミン基を形成し、有機アミンおよびカルボキシル基が露出されたCNTを反応させてCNTを積層する段階;及び(c)前記(b)段階をn回繰り返して、CNT層および有機アミン基をn回交互に積層し、カルボキシル基が露出された高密度のCNTフィルムを製造する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
表面にカルボキシル基が露出された高密度CNTフィルムまたはパターンの製造方法であって、
(a)表面にアミン基が露出された基質またはアミン基がパターン状に露出された基質とカルボキシル基が露出されたCNTを反応させ、前記アミン基と前記カルボキシル基間のアミド化反応によって基質表面にCNT単層または単層パターンを形成する段階、
(b)前記CNT単層または単層パターンとジアミン系有機化合物を反応させて前記CNT単層上に有機アミン基を形成し、前記有機アミンとカルボキシル基が露出されたCNTとを反応させてCNTを積層する段階および、
(c)前記(b)段階をn回繰り返してCNT層と有機アミン基をn回交互に積層して、カルボキシル基が露出された高密度のCNTフィルムまたはパターンを形成する段階を含むことを特徴とする製造方法。
IPC (4件):
B82B3/00
, B82B1/00
, C12M1/00
, C12N15/09
FI (4件):
B82B3/00
, B82B1/00
, C12M1/00 A
, C12N15/00 F
Fターム (14件):
4B024AA11
, 4B024AA20
, 4B024CA01
, 4B024CA11
, 4B024HA14
, 4B029AA07
, 4B029AA21
, 4B029AA23
, 4B029BB15
, 4B029BB20
, 4B029CC03
, 4B029CC08
, 4B029CC11
, 4B029FA12
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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引用文献:
審査官引用 (16件)
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