特許
J-GLOBAL ID：200903034282794265
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-054061
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223684
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】 アッシング開始直後からしばらくの間酸素供給量に見合ったアッシング速度が得られず、アッシング速度が低下し、しかも、その間安定したアッシング処理を行うことができない。【解決手段】 本アッシング装置は、プラズマ生成室11内で生成した酸素プラズマPの酸素ラジカルをイオントラップ12を下方のプラズマ処理室13へ導入し、載置台14上半導体ウエハWをアッシングする装置で、上記イオントラップ12の表面にアルミニウム酸化膜層12Bを設け、アルミニウム酸化膜層12によりその内部の金属アルミニウム12Cの酸化を防止することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
酸素ガスを受給して酸素プラズマを生成するプラズマ生成室と、このプラズマ生成室で生成した酸素プラズマ中のイオン成分を捕獲すると共に酸素ラジカルを通過させる導電性材料からなる隔壁と、この隔壁を介して上記プラズマ生成室に連結されたプラズマ処理室と、このプラズマ処理室に配設され且つ上記酸素ラジカルによってプラズマ処理される被処理体を載置する載置台とを備えたプラズマ処理装置において、上記隔壁の表面に上記導電性材料の酸化膜を設け、上記酸化膜によりその内部の導電性材料の酸化を防止することを特徴とするプラズマ処理装置。
引用特許：
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