特許
J-GLOBAL ID:200903034290918054
半導体モジュール及び電力変換装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 市郎 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-067207
公開番号(公開出願番号):特開2002-270748
出願日: 2001年03月09日
公開日(公表日): 2002年09月20日
要約:
【要約】【課題】 冷却能力が高く、且つ、製造時、運転時の熱応力による絶縁破壊の虞のない、高信頼性の半導体モジュールと、それを用いた電力変換装置を提供すること。【解決手段】 ベース板101に、樹脂絶縁層102を介して、内部に流通路106を有する導体部材103を接合させ、この導体部材103を回路パターンの導体として、これにパワー半導体素子104を半田接合する。そして、各導体部材103の流通路106を絶縁配管105で連結し、冷却水を流すようにしたもの。パワー半導体素子104と導体部材103の間には、半田接合層107があるだけなので、冷却能力が高く、且つ、製造時、運転時の熱応力による絶縁破壊の虞れがないので、高信頼性のパワー半導体モジュールが得られる。
請求項(抜粋):
ベース部材の表面に、絶縁層を介して形成した回路パターン用導体を備え、該回路パターン用導体の表面に半導体素子をろう付け接合する方式の半導体モジュールにおいて、前記回路パターン用導体の、少なくとも前記半導体素子が接合される部分を、内部に流体の流通路となる孔が貫通されている導体部材で形成し、前記半導体素子の放熱が、前記流通路に通流される流体により与えられるように構成したことを特徴とする半導体モジュール。
IPC (5件):
H01L 23/473
, F25D 9/00
, F25D 13/00
, H02M 1/00
, H02M 7/48
FI (5件):
F25D 9/00 B
, F25D 13/00 Z
, H02M 1/00 R
, H02M 7/48 Z
, H01L 23/46 Z
Fターム (42件):
3L044AA04
, 3L044BA06
, 3L044CA14
, 3L044DA01
, 3L044DB02
, 3L044DD07
, 3L044FA02
, 3L044FA04
, 3L044KA04
, 3L044KA05
, 3L045AA04
, 3L045AA07
, 3L045BA07
, 3L045CA00
, 3L045DA02
, 3L045PA04
, 3L045PA05
, 5F036AA01
, 5F036BA10
, 5F036BB43
, 5F036BB44
, 5H007AA17
, 5H007BB06
, 5H007CA02
, 5H007CB02
, 5H007CB05
, 5H007DB03
, 5H007DB07
, 5H007HA04
, 5H007HA06
, 5H740BA11
, 5H740BA12
, 5H740BB05
, 5H740BB09
, 5H740BB10
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740MM08
, 5H740PP01
, 5H740PP02
, 5H740PP03
, 5H740PP06
引用特許: