特許

J-GLOBAL ID：200903057010481411

パワー半導体モジュール

発明者： 川瀬 大助 ,  阪東 明 ,  平井 強 ,  鈴木 和弘 ,  鴨志田 陸男 ,  斉藤 直人 ,  佐々木 康二 ,  飛山 芳郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171929
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007281
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】絶縁樹脂を用いた、低熱抵で、運転時の熱歪みの小さい、高信頼性の、中、大容量パワーモジュールを提供する。【解決手段】金属など熱伝導率の高い材料の放熱板と、前期放熱板と樹脂絶縁層を介して接合された良導体の導電層と、前記導電層と接するように構成されたパワー半導体素子と、外部との接続用の端子からなり、前記パワー半導体素子と前記導電層の一部または全部が樹脂で封止されたパワー半導体モジュールにおいて、前期導電層に板厚0.5mm以上の銅と銅の酸化物の複合材料を用いる。【効果】樹脂絶縁層を用いた、低熱抵抗で、運転時の熱歪みの小さい、高信頼性の中、大容量パワー半導体モジュールを得ることができた。

請求項（抜粋）：

金属など熱伝導率の高い材料の放熱板と、前期放熱板と樹脂絶縁層を介して接合された良導体の導電層と、前記導電層と接するように構成されたパワー半導体素子と、外部との接続用の端子からなり、前記パワー半導体素子と前記導電層の一部または全部が樹脂で封止されたパワー半導体モジュールにおいて、前記導電層が板厚0.5mm以上の銅と銅の酸化物の複合材料であることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-121281   出願人：株式会社日立製作所
• 複合材料及び各種用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-121285   出願人：株式会社日立製作所