特許

J-GLOBAL ID：200903034292296271

酸ミストセンサ

発明者： 飯田 昌盛 ,  広瀬 洋一 ,  秋葉 幸男 ,  李 成奇
出願人/特許権者： 学校法人東海大学
代理人 (1件)： 八木 秀人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056912
公開番号（公開出願番号）：特開平8-254516
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 構造が簡単でかつ高感度に酸ミストを検出することができる酸ミストセンサの提供。【構成】 酸ミストセンサは、シリコンなどで形成された基板aと、この基板a上にCVD法により堆積形成されたダイヤモンド薄膜bと、このダイヤモンド薄膜b上に所定の間隔をおいて形成された一対の電極cとから構成されている。ダイヤモンド薄膜bは、不純物を加えないいわゆるi型ダイヤモンド薄膜であり、一対の電極cは、金などの金属をダイヤモンド薄膜b上に蒸着することにより形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたダイヤモンド薄膜と、このダイヤモンド薄膜上に所定の間隔をおいて形成された一対の電極とからなることを特徴とする酸ミストセンサ。

IPC (3件)：

G01N 27/12 ,  G01N 27/04 ,  G01N 27/416

FI (4件)：

G01N 27/12 C ,  G01N 27/12 B ,  G01N 27/04 Z ,  G01N 27/46 353 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体式ガスセンサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196829   出願人：三井鉱山株式会社