絶縁層の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山川政樹 , 山川茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-094789
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273557
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：

【課題】原子層成長法を用いた絶縁層の形成において、より低温で吸着しやすいなどの特徴を備える有機金属原料を用い、良質な絶縁層を形成する。【解決手段】成膜室の内部に3つのアミノ基を有するアミノシランからなる原料ガス111を導入する。次いで、導入した原料ガス111を加熱し、導入された原料ガス111を構成している3つのアミノ基を有するアミノシランからアミノ基が1つ離脱した分子が生成された状態とし、この生成された分子がシリコン基板101の上に供給された状態とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板が載置された成膜室の内部が排気されて所定の圧力とされた状態にする第1工程と、前記成膜室の内部に有機金属から構成された原料ガスを導入して前記原料ガスが前記基板の表面に供給された状態とし、前記基板の表面に前記有機金属からなる吸着層が形成された状態とする第2工程と、前記原料ガスの供給が停止され、前記成膜室の内部が排気された状態とし、前記成膜室の内部がパージされた状態とする第3工程と、前記成膜室の内部に酸化ガスを導入して前記酸化ガスが前記基板の表面に供給された状態として前記吸着層を酸化し、前記有機金属を構成する金属と酸素とから構成された薄膜が前記基板の表面に形成された状態とする第4工程とを少なくとも備え、前記原料ガスは、加熱されて一部が分解した状態で前記基板の表面に供給されることを特徴とする絶縁層の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/455 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L21/316 X , C23C16/455 , H01L21/31

Fターム (31件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 4K030FA10 , 5F045AA04 , 5F045AA15 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AD08 , 5F045AF03 , 5F045BB07 , 5F045EE07 , 5F045EE19 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BF38 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-004194 出願人：富士通株式会社

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