半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-129546
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312437
出願日： 1996年05月24日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】狭スペクトル線幅の半導体レーザを提供する。【解決手段】 InP基板10上に非回折格子である位相シフト領域20とその両側に位相が4分の1波長シフトした回折格子11を有している。さらに歪MQW活性層14を含む構成により共振器構造を形成する。位相シフト領域20により、発振波長のレーザ光の帰還がないので、ホールバーニングがなく、高バイアスまで電流を注入でき、狭スペクトルの半導体レーザを実現できる。

請求項（抜粋）：

回折格子と活性層とを有する半導体レーザであって、前記半導体レーザの共振器は、回折格子を有する第1の領域と第2の領域とを備え、前記第1の領域の回折格子と前記第2の領域の回折格子との位相は互いに実質的に4分の1波長分だけシフトしており、前記第1と第2の領域の間には、結合定数が第1の領域、第2の領域よりも小さい第3の領域を有する半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-065588
特開平1-218088
特開平2-125684

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