特許
J-GLOBAL ID：200903034335202217

透明導電材料、透明導電ガラス及び透明導電フィルム

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 東平 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-058386
公開番号（公開出願番号）：特開2000-256061
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
要約：
【要約】【課題】 安価に製造することができ、かつ導電性および透明性にすぐれるとともに、製膜したとき透明導電膜のエッチング加工性に優れた透明導電材料と、その製膜に用いるスパッタリング用ターゲット、その透明導電膜を有する透明導電ガラスおよび透明導電フィルムを提供すること。【解決手段】酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛がそれらの金属原子比でSn/(Sn+In+Zn)=0.250〜0.475In/(Sn+In+Zn)=0.025〜0.550Zn/(Sn+In+Zn)=0.025〜0.575の組成を有し、かつ酸化インジウムと酸化亜鉛がIn2 O3 (ZnO)m 〔式中のmは2〜20の整数を示す〕で表される六方晶層状化合物の形態で含有され、酸化錫と酸化亜鉛がZn2 SnO4 で表されるスピネル構造化合物の形態で含有される組成物からなる透明導電材料、該材料からなるスパッタリング用ターゲット、および該ターゲットを用いて製膜した透明導電膜を有する透明導電ガラスおよび透明導電フィルム。
請求項（抜粋）：
酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛が、それらの金属原子比において、Sn/(Sn+In+Zn)=0.250〜0.475In/(Sn+In+Zn)=0.025〜0.550Zn/(Sn+In+Zn)=0.025〜0.575の組成を有し、かつIn2 O3 (ZnO)m 〔ただし、mは2〜20の整数である〕で表される六方晶層状化合物およびZn2 SnO4 で表されるスピネル構造の化合物を含有する組成物からなる透明導電材料。
IPC (5件)：
C04B 35/457 ,  C01G 19/02 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 5/14
FI (5件)：
C04B 35/00 R ,  C01G 19/02 ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  H01B 5/14 A
Fターム (27件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB09 ,  4K029BC09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC07 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 透明導電膜
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-257406   出願人：南内嗣, 高田新三
  • 導電性材料およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-271368   出願人：出光興産株式会社
  • 特開平3-050148

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