特許
J-GLOBAL ID：200903034336960921
セル消費電流特性算出システム
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-091401
公開番号（公開出願番号）：特開平9-282346
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】内部記憶を備えたセルにおいて、出力端子の信号値又は内部記憶の状態が変化する場合のセルの消費電流特性を算出する。【解決手段】真理値表作成装置22はスタティックシミュレーション装置21によるシミュレーション結果に基づいてセルの入力端子の信号値のすべての組み合わせの真理値表を作成する。入力端子条件設定装置23は真理値表を入力し、1つの入力端子の信号変化に基づいて出力端子の信号値または内部記憶の状態が変化する入力端子の信号値の組み合わせを求める。測定回路付加装置25はセルの消費電流特性を測定するための回路を該セルに付加する。回路シミュレーション装置26は付加された回路に基づいてセルのシミュレーションを行い、セル特性抽出装置27は回路シミュレーション結果からセルの消費電流特性を抽出する。
請求項（抜粋）：
トランジスタにて設計され、かつ、半導体回路のレイアウト設計に使用されるセルの消費電流特性を算出するためのシステムであって、前記セルのスケマティック回路情報を入力して該セルのスタティックシミュレーションを行うスタティックシミュレーション装置と、前記スタティックシミュレーション装置のシミュレーション結果に基づいて前記セルのすべての入力端子の信号値の組み合わせに関する真理値表を作成する真理値表作成装置と、前記真理値表を入力し、前記セルの1つの入力端子の入力信号の変化に基づいて出力端子の信号値または内部記憶の状態が変化する入力端子の信号値の組み合わせよりなる動作コンディションを求める入力端子条件設定装置と、前記セルの消費電流特性を測定するための回路を該セルに付加する測定回路付加装置と、前記セルに付加された回路に基づいて前記セルの回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション装置と、前記回路シミュレーション装置によるシミュレーション結果に基づいて、前記セルの消費電流特性を抽出するセル特性抽出装置とを備えるセル消費電流特性算出システム。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G06F 15/60 664 J
, G06F 15/60 608 Z
, G06F 15/60 652 E
, H01L 21/82 C
