特許

J-GLOBAL ID：200903034349125436

酸化物超電導体薄膜の作製方法およびその方法に使用するターゲット

発明者： 林 邦彦 ,  藤野 修一 ,  田中 昭二 ,  榎本 陽一
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  財団法人国際超電導産業技術研究センター
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-090201
公開番号（公開出願番号）：特開平6-305891
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：

【要約】【目的】パルスレーザ堆積法で酸化物超電導体薄膜を作製する際に、超電導特性を劣化させることなく、パーティクルの発生密度を減少させて、薄膜表面を平滑にする。【構成】アモルファス粉末の成形体を部分溶融した後徐冷して得られた見掛け密度95%以上の実質的にY1±αBa2±βCu3±γO7-δの組成を有する酸化物材料をターゲットとしてパルスレーザ照射し、基板上にY1±αBa2±βCu3±γO7-δの酸化物超電導体薄膜を製造する。

請求項（抜粋）：

アモルファス粉末の成形体を部分溶融した後徐冷して得られた見掛け密度95%以上の実質的にY1±αBa2±βCu3±γO7-δ(α≦0.8 、β≦0.4 、γ≦0.4 、-2≦δ≦1)の組成を有するターゲットを用意する工程と、このターゲットにパルスレーザを照射して基板上に実質的にY1±αBa2±βCu3±γO7-δ(α≦0.8 、β≦0.4 、γ≦0.4 、-2≦δ≦1)の組成を有する薄膜を作製する工程とを備えた酸化物超電導体薄膜の作製方法。

IPC (7件)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C23C 14/34 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-214098
  
• 特開平4-119968
  
• レーザー蒸着膜作製用ターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-048561   出願人：日本電信電話株式会社