特許

J-GLOBAL ID：200903034351839632

半導体製造方法

発明者： 井川 聖史 ,  山本 正美 ,  池田 博一 ,  平塚 哉 ,  冷水 佐壽 ,  下村 哲
出願人/特許権者： 株式会社クボタ
代理人 (1件)： 北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066298
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257162
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 良好な吸収変化特性や屈折率変化特性のフォトリフラクティブ効果を有する半導体を製造し得る方法を提供する。【解決手段】 (411)A面のGaAs基板を用い、基板温度が300〜700°C、V/III比が5以上且つ10以下の条件下で、V族元素がAsであるIII-V族化合物半導体薄膜を成長させ、そのIII/V族化合物半導体薄膜にイオン注入を行ってフォトリフラクティブ効果を有する素子を製造する。

請求項（抜粋）：

(411)A面のGaAs基板を用い、基板温度が300〜700°C、V/III比が5以上且つ10以下の条件下で、V族元素がAsであるIII-V族化合物半導体薄膜を成長させ、そのIII/V族化合物半導体薄膜にイオン注入を行うことを特徴とする半導体製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  G02F 1/35 ,  G02F 1/355 501

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 H ,  G02F 1/35 ,  G02F 1/355 501

Fターム (24件)：

2K002AA01 ,  2K002AB12 ,  2K002CA13 ,  2K002DA12 ,  2K002EA08 ,  2K002HA16 ,  4G077AA03 ,  4G077BE45 ,  4G077BE46 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EF04 ,  4G077FD02 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AF13 ,  5F045DA55 ,  5F045HA15