特許
J-GLOBAL ID:200903034353421864

ルミネセンス変換層を備えた発光ダイオード光源を製造するための方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-547408
公開番号(公開出願番号):特表2006-505118
出願日: 2003年10月21日
公開日(公表日): 2006年02月09日
要約:
本発明は、チップから放射される一次ビームの少なくとも一部がルミネセンス変換によって変換される、例えば混合色発光ダイオード光源を製造するための方法に関する。ここでチップは表側(すなわち放射方向に向いている側)において電気的なコンタクトを備えており、このチップの表面にはルミネセンス変換材料が薄い層の形状で被着される。このために表側の電気的なコンタクトはコーティングの前に、この電気的なコンタクトへの導電性材料の被着によって高くされる。本方法は色位置(IECカラーチャート)の制御およびルミネセンス変換材料からなる層の薄層化によって、所定の色位置の所期の調節を可能にする。さらに本方法はウェハ結合体における複数の同種のチップからなる複数の発光ダイオード光源を同時に製造することに適している。
請求項(抜粋):
チップから放射される一次ビームの少なくとも一部がルミネセンス変換によって変換される、例えば混合色発光ダイオード光源を製造するための方法において、 表側の電気的なコンタクトを電気的なコンタクト面の形状で有するチップを準備し、 前記表側の電気的なコンタクトを前記電気的なコンタクト面に導電性材料を被着させることにより厚くし、 前記チップをルミネセンス変換材料でもってコーティングすることを特徴とする、発光ダイオード光源を製造するための方法。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 C
Fターム (8件):
5F041AA11 ,  5F041AA42 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041EE25
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-164816   出願人:日立電線株式会社
  • 発光装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-101243   出願人:日亜化学工業株式会社
  • 半導体発光装置及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-357252   出願人:松下電子工業株式会社
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