特許
J-GLOBAL ID:200903072132067615

3族窒化物半導体発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤谷 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-338114
公開番号(公開出願番号):特開平9-153645
出願日: 1995年11月30日
公開日(公表日): 1997年06月10日
要約:
【要約】【課題】高輝度の青色から緑色の発光を得ると共に3族窒化物半導体だけで、各種の色の発光を得るようにすること。【解決手段】発光ダイオード500はサファイア基板1、バッファ層2、高キャリア濃度n+ 層3、SiドープのAl0.3Ga0.7N から成るn層4、発光層5、MgドープのAl0.3Ga0.7N から成るp層61、MgドープのGaN から成るコンタクト層62、Niから成る電極7、電極8で構成されている。発光層5は、膜厚約100 ÅのAl0.25Ga0.75N から成る6層のバリア層51と膜厚約100 ÅのAl0.2Ga0.8N から成る5層の井戸層52とが交互に積層された多重量子井戸構造である。井戸層52には、亜鉛とシリコンが、それぞれ、5 ×1018/cm3の濃度に添加されている。このような紫外線を発光する発光層5と、発光層5の放射する紫外線を受光して、電極7の上に可視光に変換する蛍光体層208とを設けた。
請求項(抜粋):
発光層に3族窒化物半導体を用いた発光素子において、紫外線を発光する発光層と、前記発光層の放射する前記紫外線を受光して、可視光に変換する蛍光体層とを設けたことを特徴とする発光素子。
FI (2件):
H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 C
引用特許:
審査官引用 (7件)
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