特許
J-GLOBAL ID：200903034364130489

インダクティブ素子

発明者：
駒井 栄一

駒井 栄一 について

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佐々木 義人

佐々木 義人 について

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小川 和志

小川 和志 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-061778
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357612
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 従来、渦電流損失低減の観点から、薄膜インダクタを構成する磁性層を、複数の膜厚の薄い磁性膜を積層して形成していたが、コイル層に近い磁性膜にコイル層からの磁束が集中するため、各磁性膜の磁束分布は不均一になり、各磁性膜をほぼ同様に機能させることができなかった。【解決手段】 コイル層12から遠ざかる磁性膜ほど透磁率と膜厚との積の値をを大きくすることで、コイル層12から遠ざかる磁性膜ほど、コイル層12から発生する磁束が誘導されやすくなり、各磁性膜にほぼ均一な磁束分布を形成でき、各磁性膜をほぼ同様に機能させることが可能である。これにより、従来よりもインダクタンス及び直流重畳特性の向上、及び高周波帯域における鉄損の低減を図ることができる。
請求項（抜粋）：
コイル層および、絶縁層を介して前記コイル層を覆う磁性層が設けられたインダクティブ素子において、前記磁性層は、少なくとも2層の磁性膜が重ねられて形成されており、前記磁性層を形成する任意の2つの磁性膜を比較したときに、前記コイル層に近い磁性膜の透磁率と膜厚との積の値が、前記コイル層から遠い磁性膜の前記透磁率と膜厚との積の値よりも小さくなる磁性膜の組みあわせを含むことを特徴とするインダクティブ素子。
IPC (3件)：
H01F 17/00 ,  H01F 10/30 ,  H01F 17/04
FI (3件)：
H01F 17/00 B ,  H01F 10/30 ,  H01F 17/04 F
Fターム (16件)：
5E049AA01 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA11 ,  5E049CB01 ,  5E049CC01 ,  5E070AA01 ,  5E070AA11 ,  5E070AB01 ,  5E070AB04 ,  5E070AB07 ,  5E070AB10 ,  5E070BA11 ,  5E070BA20 ,  5E070CB01 ,  5E070CB11
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開平1-318212
  • 積層電子部品とその特性調整方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-062480   出願人：太陽誘電株式会社
  • コイル部品
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-077882   出願人：株式会社村田製作所
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