研磨を併用したエッチング方法及びトレンチ素子分離構造の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-230629
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078389
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】所望のエッチングを容易かつ効果的に達成でき、所望のトレンチ素子分離も良好に形成できる研磨を併用したエッチング方法及びトレンチ素子分離構造の形成方法を提供する。【構成】凸状部51,52と凹状部61,62とを有する被エッチング部材の全面にマスク層7を形成し、必要に応じストッパ層81,82を併用し、マスク層7の頭頂部を研磨することにより前記凸状部51,52の頂部におけるマスク層7を除去し、該マスク層除去部分からエッチングを進行させることにより、少なくとも前記凸状部51,52を選択的にエッチング除去する。

請求項（抜粋）：

凸状部と凹状部とを有する被エッチング部材の全面にマスク層を形成し、該マスク層の頭頂部を研磨することにより前記凸状部の頂部におけるマスク層を除去し、該マスク層除去部分からエッチングを進行させることにより、少なくとも前記凸状部を選択的にエッチング除去することを特徴とする研磨を併用したエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 21/304 321 , H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/306 D , H01L 21/76 N

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭57-204150
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-119395 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (2件)

特開昭57-204150
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-119395 出願人：ソニー株式会社

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