特許
J-GLOBAL ID：200903034391565381

転移水素化方法及び触媒

発明者：
ブラッカー,アンドリュー・ジョン

ブラッカー,アンドリュー・ジョン について

, 
メロー,ベン・ジェームズ

メロー,ベン・ジェームズ について


出願人/特許権者：
アベシア・リミテッド

アベシア・リミテッド について


代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-544451
公開番号（公開出願番号）：特表2002-501490
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：
【要約】接触転移水素化方法を提供する。本プロセスに用いる触媒は、定義された二座配位子に配位した金属シクロペンタジエニル錯体である。好適な金属は、ロジウム、ルテニウム、及びイリジウムなどである。好適な二座配位子は、ジアミン類及びアミノアルコール類、特に、キラル中心を含むものである。水素供与体は、第二級アルコール、又はトリエチルアミンとギ酸の混合物が都合がよい。本プロセスは、好ましくはプロキラルであるケトン類及びイミン類を転移水素化するのに使用できる。そのようなプロセスに使用する触媒も提供する。
請求項（抜粋）：
式(1)の化合物の転移水素化により、式(2)の化合物;[式中、 Xは、CR<SP>3</SP>R<SP>4</SP>、NR<SP>5</SP>、(NR<SP>5</SP>R<SP>6</SP>)<SP>+</SP>Q<SP>-</SP>、O、又はSを表し; R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>、R<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>、及びR<SP>6</SP>は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、又は置換されていてもよいヘテロサイクリル基を表し、1個以上のR<SP>1</SP>&R<SP>2</SP>、R<SP>1</SP>&R<SP>3</SP>、R<SP>2</SP>&R<SP>4</SP>、R<SP>3</SP>&R<SP>4</SP>、R<SP>1</SP>&R<SP>5</SP>、R<SP>2</SP>&R<SP>6</SP>、及びR<SP>5</SP>&R<SP>6</SP>は、置換されていてもよい(1個又は複数個の)環を形成するように結合していてもよく; Q<SP>-</SP>はアニオンを表す]を製造する方法であって、前記方法は、式(1)の化合物を触媒の存在下で水素供与体と反応させることを含み、前記触媒は、一般式:[式中、 R<SP>7</SP>は、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基を表し; Aは、-NR<SP>8</SP>-、-NR<SP>9</SP>-、-NHR<SP>8</SP>、又は-NR<SP>8</SP>R<SP>9</SP>を表し、式中、R<SP>8</SP><SP></SP>は、H、C(O)R<SP>10</SP>、SO<SB>2</SB>R<SP>10</SP>、C(O)NR<SP>10</SP>R<SP>14</SP>、C(S)NR<SP>10</SP>R<SP>14</SP><SP></SP>、C(=NR-<SP>14</SP>)SR<SP>15</SP>、又はC(=NR<SP>14</SP>)OR<SP>15</SP>であり、R<SP>9</SP>とR<SP>10</SP>は、それぞれ独立して、置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、又は置換されていてもよいヘテロサイクリル基を表し、R<SP>14</SP>とR<SP>15</SP>は、それぞれ独立して、水素又はR<SP>10</SP>の定義と同様の基であり; Bは、-O-、-OH、OR<SP>11</SP>、-S-、-SH、SR<SP>11</SP>、-NR<SP>11</SP>-、-NR<SP>12</SP>-、-NHR<SP>12</SP>、又は-NR<SP>11</SP>R<SP>12</SP>を表し、式中、R<SP>12</SP>は、H、C(O)R<SP>13</SP>、SO<SB>2</SB>R<SP>13</SP>、C(O)NR<SP>13</SP>R<SP>16</SP>、C(S)NR<SP>13</SP>R<SP>16</SP>、C(=NR<SP>16</SP>)SR<SP>17</SP>、又はC(=NR<SP>16</SP>)OR<SP>17</SP>であり、R<SP>11</SP>とR<SP>13</SP>は、それぞれ独立して、置換されていてもよいヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビル、又は置換されていてもよいヘテロサイクリル基を表し、R<SP>16</SP>とR<SP>17</SP>は、それぞれ独立して、水素又はR<SP>13</SP>の定義と同様の基であり; Eは、リンク基を表し; Mは、転移水素化を触媒できる金属を表し; Yは、アニオン基、塩基性配位子、又は空位を表し; ただし、Yが空位でないときは、A又はBの少なくとも一つが水素原子を有する]を有することを特徴とする転移水素化方法。
IPC (8件)：
C07C 33/22 ,  B01J 31/22 ,  C07B 31/00 ,  C07C 29/136 ,  C07C 35/23 ,  C07C209/52 ,  C07C211/03 ,  C07B 61/00 300
FI (8件)：
C07C 33/22 ,  B01J 31/22 Z ,  C07B 31/00 ,  C07C 29/136 ,  C07C 35/23 ,  C07C209/52 ,  C07C211/03 ,  C07B 61/00 300
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開昭55-127323
  • イミンの水素化法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-502579   出願人：ノバルティスアクチェンゲゼルシャフト
  • 光学活性アルコール類の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-318303   出願人：科学技術振興事業団, 碇屋隆雄, 竹原潤, 橋口昌平
審査官引用 (4件)
  • 特開昭55-127323
  • 特開昭55-127323
  • イミンの水素化法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-502579   出願人：ノバルティスアクチェンゲゼルシャフト
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引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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