導波路型半導体受光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-314583
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172213
出願日： 1994年12月19日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】周波数応答特性が高速であることは勿論、光ファイバ出力との導波路幅方向の結合効率や結合トレランスが高い導波路型半導体受光素子を提供する。【構成】屈折率n1 を持つ半絶縁性InP基板1上にて下から順に、第1の導電型(n型)であってn2 >n1 なる屈折率n2 を持つ第1の中間屈折率層であるn+ -InGaAsP中間屈折率層3と、第1または第2の導電型(n型またはp型)であってn3 >n2 なる屈折率n3 を持つn- -InGaAs光吸収層4と、第2の導電型(p型)であってn4 3 なる屈折率n4 を持つp+ -InPクラッド層6とを有している。n+ -InGaAsP中間屈折率層3は、その幅がn- -InGaAs光吸収層4の幅の2倍以上である。

請求項（抜粋）：

屈折率n1 を持つ半絶縁性半導体基板上にて下から順に、第1の導電型であってn2 >n1 なる屈折率n2 を持つ第1の中間屈折率層と、第1または第2の導電型であってn3 >n2 なる屈折率n3 を持つ光吸収層と、第2の導電型であってn4 3 なる屈折率n4 を持つクラッド層とを有し、前記第1の中間屈折率層は、その幅が前記光吸収層の幅の2倍以上であることを特徴とする導波路型半導体受光素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-346605 出願人：富士通株式会社

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