特許

J-GLOBAL ID：200903034400223758

半導体冷却ユニット

発明者： 酒井 泰幸
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (2件)： 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-323011
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093593
出願日： 2003年09月16日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】放熱効率に優れ、高い形状精度を有する優れた半導体冷却ユニットを提供すること。【解決手段】半導体冷却ユニット1は、半導体素子11を有する半導体モジュール10と、冷媒を流動させる中空部21を有する扁平形状の冷却チューブ20とを有するユニットである。この半導体モジュール10は、半導体素子11を挟むように相互に対面する2枚の電極板15を有してなる。そして、各電極板15に対しては、電気的な絶縁性を有する絶縁層30を介在して冷却チューブ20を接合してあり、かつ、電極板15と絶縁層30との間と、絶縁層30と冷却チューブ20との間との少なくとも一方は、接着剤を用いて接合してある。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子を有する半導体モジュールと、冷媒を流動させる中空部を有する扁平形状の冷却チューブとを有する半導体冷却ユニットであって、 上記半導体モジュールは、上記半導体素子を挟むように相互に対面する2枚の電極板を有してなり、 該各電極板に対しては、電気的な絶縁性を有する絶縁層を介在して上記冷却チューブを接合してあり、かつ、上記電極板と上記絶縁層との間と、該絶縁層と上記冷却チューブとの間との少なくとも一方は、接着剤を用いて接合してあることを特徴とする半導体モジュール。

IPC (1件)：

H01L23/473

FI (1件)：

H01L23/46 Z

Fターム (4件)：

5F036AA01 ,  5F036BA01 ,  5F036BB05 ,  5F036BC08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 冷却流体冷却型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-200021   出願人：株式会社デンソー