特許
J-GLOBAL ID：200903034409658374

半導体装置の製造方法

発明者：
登坂 久雄

登坂 久雄 について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-211237
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040560
出願日： 1997年07月23日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタのアモルファスシリコンからなるシリコン層の表面にウォータマークと呼ばれるシミが発生しないようにする。【解決手段】 レジストマスク6をマスクとしてチャネル保護膜5をエッチングすると、レジストマスク6下にのみチャネル保護膜5が残存される。次に、純水で洗浄する。次に、シリコン層4の表面に紫外線を照射する。すると、シリコン層4の表面に膜厚10Å程度の極めて薄いシリコン酸化膜4aが形成される。次に、シリコン酸化膜4aの表面等に残存する純水を除去するためにスピンドライ法やエアーナイフ法により乾燥する。この場合、シリコン酸化膜4aの表面が親水性を示すことにより、ウォータマークが発生することはない。なお、シリコン酸化膜4aの膜厚は10Å程度と極めて薄いので、シリコン層4とn+シリコン層8、9とのコンタクトは十分にとることができる。
請求項（抜粋）：
所定の工程後にシリコン層の表面を洗浄液で洗浄し、次いで前記シリコン層の表面に該表面が局部的に乾燥しないように純水を供給し、次いで前記シリコン層の表面への前記純水の供給を停止し、前記シリコン層の表面に極めて薄いシリコン酸化膜を形成して前記シリコン層の表面側を親水性とし、次いで乾燥することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 21/316 U ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 627 F
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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