特許

J-GLOBAL ID：200903034420359419

導電体層除去方法およびシステム

発明者： 福満 憲志 ,  神戸 和之 ,  和久田 敏光 ,  飯塚 悦夫
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169960
公開番号（公開出願番号）：特開平8-010971
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月16日
要約：

【要約】【目的】 下部の導電体層を傷付けることなく、この下部の導電体層の上に配置される上部の導電体層を除去することができる導電体層除去方法およびシステムを提供する。【構成】 本発明の導電体層除去方法は、絶縁体層に、第1のエネルギー密度を有するパルスレーザ光を第1の周波数で複数パルス数照射して絶縁体層を除去する工程と、導電体層に、第1のエネルギ-密度よりも高い第2のエネルギ-密度を有するパルスレーザ光を1または2パルス照射して導電体層を除去する工程とを備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

集積回路における絶縁体層の下に形成された、配線または素子を構成する導電体層を除去する導電体層除去方法において、前記絶縁体層に、第1のエネルギー密度を有するパルスレーザ光を第1の周波数で複数パルス数照射して前記絶縁体層を除去する工程と、前記導電体層に、前記第1のエネルギ-密度よりも高い第2のエネルギ-密度を有するパルスレーザ光を1または2パルス照射して前記導電体層を除去する工程と、を備えることを特徴とする導電体層の除去方法。

IPC (4件)：

B23K 26/00 ,  G02B 26/02 ,  H01L 21/82 ,  H01S 3/10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-041091
  
• 特開昭62-067834
  
• 特開平2-059187
  
• レーザ加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-211592   出願人：株式会社アドバンテスト